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電催化析氫方向新發(fā)表的論文文獻(xiàn)2篇

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今天給大家分享 電催化析氫方向新發(fā)表的論文文獻(xiàn)2篇 ,文章中結(jié)合了相關(guān)研究進(jìn)展及技術(shù)細(xì)節(jié),在電催化領(lǐng)域有很高的認(rèn)可度,作者發(fā)表論文可作為參考: 文獻(xiàn)1:電還原衍生的畸變納米孿晶激活純銅電催化析氫性能 標(biāo)題:Electroreduction-Driven Distorted Nanotwins Activ

  今天給大家分享電催化析氫方向新發(fā)表的論文文獻(xiàn)2篇,文章中結(jié)合了相關(guān)研究進(jìn)展及技術(shù)細(xì)節(jié),在電催化領(lǐng)域有很高的認(rèn)可度,作者發(fā)表論文可作為參考:

電氧化析論文文獻(xiàn)

  文獻(xiàn)1:電還原衍生的畸變納米孿晶激活純銅電催化析氫性能

  標(biāo)題:Electroreduction-Driven Distorted Nanotwins Activate Pure Cu for Efficient Hydrogen Evolution

  期刊:Nature Materials (2025)

  作者:復(fù)旦大學(xué)孫大林、方方團(tuán)隊(duì)聯(lián)合北京工業(yè)大學(xué)盧岳、北京大學(xué)周繼寒等

  DOI:https://doi.org/10.1038/s41563-024-02098-2

  研究背景

  電解水析氫(HER)是綠氫制備的關(guān)鍵技術(shù),但其依賴(lài)貴金屬催化劑(如Pt、Ir)的高成本限制了大規(guī)模應(yīng)用。銅(Cu)雖具有高導(dǎo)電性和儲(chǔ)量?jī)?yōu)勢(shì),但因其對(duì)氫中間體(H*)吸附過(guò)弱,傳統(tǒng)上僅作為集流體使用。理論計(jì)算表明,通過(guò)引入拉伸應(yīng)變和降低配位數(shù)可優(yōu)化Cu的H*吸附能力,但如何穩(wěn)定調(diào)控Cu的局域結(jié)構(gòu)仍是挑戰(zhàn)。

  方法與創(chuàng)新

  研究團(tuán)隊(duì)提出激光燒蝕與電化學(xué)還原耦合的兩步法合成策略:

  激光液相燒蝕:制備富含晶界的Cu₂O多晶納米顆粒;

  電化學(xué)還原:在強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力下將Cu₂O還原為Cu,保留晶界誘發(fā)的晶格失配,形成畸變納米孿晶結(jié)構(gòu)(DNTs-Cu)。

  該結(jié)構(gòu)通過(guò)多重孿晶互鎖形成穩(wěn)定的拉伸應(yīng)變,使Cu-Cu鍵長(zhǎng)增至2.255 Å,配位數(shù)降至9.5,顯著提升了d帶中心,增強(qiáng)H*吸附。

  性能與表征

  催化活性:在酸性介質(zhì)中,DNTs-Cu在10 mA cm⁻²電流密度下的過(guò)電位僅為61 mV,與商用Pt/C相當(dāng);100 mA cm⁻²時(shí)活性超越Pt/C。

  穩(wěn)定性:500 mA cm⁻²高電流密度下運(yùn)行125小時(shí),性能僅衰減2%。

  對(duì)比分析:通過(guò)XRD、TEM和原位光譜證實(shí),DNTs-Cu的表面原子臺(tái)階和應(yīng)變協(xié)同優(yōu)化了H吸附自由能(ΔGH)。

  理論機(jī)制

  密度泛函理論(DFT)計(jì)算表明,DNTs-Cu的拉伸應(yīng)變和低配位表面降低了H*脫附能壘,同時(shí)抑制了Cu的氧化溶解,從而兼顧高活性和穩(wěn)定性。

  應(yīng)用價(jià)值

  該研究為低成本金屬催化劑設(shè)計(jì)提供了新范式,展示了電化學(xué)方法在晶格應(yīng)變調(diào)控中的潛力,有望推動(dòng)非貴金屬電解水制氫技術(shù)的工業(yè)化應(yīng)用。

  文獻(xiàn)2:MOF衍生的CoS₂/WS₂電催化劑界面硫化提升析氫性能

  標(biāo)題:MOF-derived CoS₂/WS₂ Electrocatalysts with Sulfurized Interface for High-Efficiency Hydrogen Evolution Reaction: Synthesis, Characterization and DFT Calculations

  期刊:Chemical Engineering Journal (2024)

  作者:北京化工大學(xué)王維教授團(tuán)隊(duì)

  DOI:https://doi.org/10.1016/j.cej.2023.147924

  研究背景

  過(guò)渡金屬硫化物(TMDs)因可調(diào)電子結(jié)構(gòu)和豐富活性位點(diǎn)成為替代貴金屬催化劑的候選材料。然而,其催化性能受限于界面接觸差和活性位點(diǎn)不足。本研究通過(guò)MOF前驅(qū)體設(shè)計(jì),構(gòu)建CoS₂/WS₂異質(zhì)結(jié)構(gòu),優(yōu)化界面硫化和電子轉(zhuǎn)移路徑。

  合成策略

  前驅(qū)體制備:以雙金屬M(fèi)OF為模板,通過(guò)水熱法引入硫代乙酰胺(TAA)控制硫化物界面形成;

  界面調(diào)控:TAA調(diào)控WS₂納米顆粒在CoS₂表面的負(fù)載量(<5%),最大化暴露界面活性位點(diǎn);

  結(jié)構(gòu)表征:TEM和XPS證實(shí)CoS₂/WS₂的異質(zhì)界面及硫原子橋聯(lián)作用。

  催化性能

  過(guò)電位與Tafel斜率:在酸性介質(zhì)中分別為79 mV和52 mV dec⁻¹,接近商用Pt/C。

  穩(wěn)定性:1000次循環(huán)伏安(CV)后過(guò)電位僅增加8 mV。

  電化學(xué)阻抗:奈奎斯特圖顯示CoS₂/WS₂的電荷轉(zhuǎn)移電阻顯著低于單一組分。

  機(jī)理分析

  DFT計(jì)算:CoS₂/WS₂界面處的硫原子橋聯(lián)降低了ΔGH*(接近0 eV),優(yōu)化了H*吸附;

  電子結(jié)構(gòu):界面硫化誘導(dǎo)電荷重新分布,Co的d帶中心上移,增強(qiáng)H*結(jié)合能;

  協(xié)同效應(yīng):WS₂的導(dǎo)電性提升與CoS₂的活性位點(diǎn)暴露共同促進(jìn)HER動(dòng)力學(xué)。

  工業(yè)潛力

  該工作為多界面催化劑設(shè)計(jì)提供了新思路,尤其適用于規(guī)模化制備低成本、高穩(wěn)定性的電解水制氫電極材料。

  上述兩篇文獻(xiàn)分別從金屬晶格調(diào)控和異質(zhì)界面工程角度推動(dòng)了非貴金屬電催化析氫技術(shù)的發(fā)展:DNTs-Cu通過(guò)應(yīng)變工程激活純銅活性,突破傳統(tǒng)認(rèn)知;CoS₂/WS₂利用MOF衍生策略?xún)?yōu)化界面電子結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)高效質(zhì)子轉(zhuǎn)移。這些成果為綠氫產(chǎn)業(yè)提供了重要的理論與技術(shù)支撐,未來(lái)可結(jié)合原位表征和機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)一步探索催化劑構(gòu)效關(guān)系。

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